基本半導體B2M第二代碳化硅MOSFET在DAB，CLLLC拓撲應用中的優(yōu)勢 

OBC(on-board Charger) 作為汽車充電的重要部件 一般分為 PFC 和 DC-DC兩個部分。PFC將輸入交流電壓整流成直流電壓，再通過DC-DC對電池進行充電。

新型的OBC支持V2G，V2V等功能，要求功率的雙向傳輸。同時，OBC的輸出功率要求逐漸由3.3kW,6.6kW提高到11kW，22kW。新的這些需求也帶來對拓撲新的要求，傳統(tǒng)的LLC拓撲很明顯已經(jīng)不能適應這些需求。常用的雙向隔離DC- DC變換拓撲主要有雙向諧振變換器（CLLLC）和雙向有源全橋（Dual Active Bridge, DAB）。DAB電路通常只能在較窄功率范圍內實現(xiàn)兩邊開關管的零電壓軟開關（Zero Voltage Switching, ZVS），且控制相對較復雜。CLLLC電路由于自身諧振網(wǎng)絡的對稱結構、良好的軟開關特性，其對稱的電路結構不僅能保證雙向運行的一致性，正反向運行時均能在更寬的電壓范圍和功率變換范圍內實現(xiàn)零電壓導通和零電流關斷。此外，由于CLLLC諧振電流是正弦，其關斷損耗比電流為梯形的DAB更小，所以在工業(yè)中被廣泛使用。

CLLC拓撲在LLC拓撲的基礎上，副邊增加了一個電容，使功率可以雙向傳輸。而CLLLC拓撲的副邊在CLLC的基礎上增加了一個電感，使電路結構對稱。

CLLLC優(yōu)點：

1.高效（高于98%的峰值效率）

2.設計良好時全范圍軟開關

3.控制相對簡單（調頻，burst）

4.二次側輸出EMI小

缺點（大功率）：

1.更多的器件（電容）（需要通過大電流）

2.調頻范圍寬，變壓器功率密度相對低，高頻時效率下降（需按照最低開關頻率設計）

DAB拓撲在大功率場合應用較多，尤其是三相DAB可以顯著減少輸出電壓的紋波，減小輸出濾波電容的體積。

DAB優(yōu)點：

1.結構簡單（諧振電感集成在變壓器中）

2.元器件少（無需多余的諧振電容）

3.三相結構成熟度高（輸出電容小），每相電流RMS值小

4.頻率固定，對變壓器設計有利

5.分支拓撲多，可擴展性強

缺點：

1.由于沒有諧振腔，電流呈單調線性變化，因此關斷電流大，關斷損耗大（通過合適的調制方式和SiC MOSFET器件可以部分解決）

2.電壓不匹配時，無功電流大，輕載時軟開關受限（可通過設計和調制方式解決，但會增加控制的復雜度）

3.效率低（相對CLLC低0.5%左右）

在中小功率條件下，LLC/CLLC/CLLLC拓撲由于其優(yōu)秀的效率和功率密度而成為最優(yōu)的方案之一。諧振電容的成本和體積在10-20kW功率級別時，并不算大，所以不會顯著影響OBC的價格和功率密度。

但是在大功率場合，CLLC濾波電容和諧振電容的成本越發(fā)重要。而三相DAB結構簡單，不調頻，每相電流小，魯棒性好，可能更加適合大功率DC-DC的設計。

CLLC/CLLLC，DAB等實現(xiàn)ZVS主要和功率MOSFET的Coss、關斷速度和體二極管壓降等參數(shù)有關。Coss決定所需諧振電感儲能的大小，值越大越難實現(xiàn)ZVS；更快的關斷速度可以減少對儲能電感能量的消耗，影響體二極管的續(xù)流維持時間或者開關兩端電壓能達到的最低值；因為續(xù)流期間的主要損耗為體二極管的導通損耗。B2M跟競品比，B2M第二代碳化硅MOSFET的Coss更小（115pF），需要的死區(qū)時間初始電流小；B2M第二代碳化硅MOSFET抗側向電流觸發(fā)寄生BJT的能力更強。B2M第二代碳化硅MOSFET的體二極管的Vf和trr比競品優(yōu)勢明顯。綜合來看，相對競品，在CLLC/CLLLC，DAB電源拓撲應用中B2M第二代碳化硅MOSFET表現(xiàn)會更好.

B2M040120Z國產替代英飛凌IMZA120R040M1H，安森美NTH4L040N120M3S以及C3M0040120K，意法SCT040W120G3-4AG。

B2M020120Z國產替代英飛凌IMZA120R020M1H，安森美NTH4L022N120M3S，意法SCT015W120G3-4AG，C3M0021120K。

BASiC基本半導體第二代碳化硅MOSFET具有優(yōu)秀的高頻、高壓、高溫性能，是目前電力電子領域最受關注的寬禁帶功率半導體器件。在電力電子系統(tǒng)中應用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件，可提高功率回路開關頻率，提升系統(tǒng)效率及功率密度，降低系統(tǒng)綜合成本。  

BASiC基本半導體第二代碳化硅MOSFET亮點

更低比導通電阻：BASiC第二代碳化硅MOSFET通過綜合優(yōu)化芯片設計方案，比導通電阻降低約40%，產品性能顯著提升。

更低器件開關損耗：BASiC第二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了約60%，開關損耗降低了約30%。反向傳輸電容Crss降低，提高器件的抗干擾能力，降低器件在串擾行為下誤導通的風險。

更高可靠性：BASiC第二代碳化硅MOSFET通過更高標準的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核，產品可靠性表現(xiàn)出色。

更高工作結溫：BASiC第二代碳化硅MOSFET工作結溫達到175°C，提高器件高溫工作能力。